當前位置：碳化硅的制備【碳化硅換熱器】
由于自然界中的莫桑石非常罕有，所以碳化硅多為人造。它被用于磨料、半導體材料和具有鉆石特點的仿制品。常見的方法是利用艾奇遜法將細的二氧化硅顆粒與焦炭混合，置入石墨為電極的電爐中，加熱到1600至2500°C之間的高溫制得。另一種方法是將純凈的二氧化硅顆粒在植物性材料（比如谷殼）中加熱合成碳化硅，通過熱分解有機質(zhì)材料生成的碳還原二氧化硅產(chǎn)生硅單質(zhì)，隨后多余的碳與單質(zhì)硅反應產(chǎn)生碳化硅。此外，還可以利用生產(chǎn)金屬硅化物和硅鐵合金的副產(chǎn)物硅灰與石墨混合在1500°C的條件下加熱合成碳化硅。
用艾奇遜法在電爐中合成的碳化硅因距離石墨電阻加熱源遠近的不同在純度上有一定的差別。最靠近電阻加熱源的地方產(chǎn)生的無色、淡黃色或綠色的碳化硅晶體純度最高。隨著離電阻加熱源的距離越來越遠生成的碳化硅顏色變?yōu)樗{色和黑色，這些深色晶體的純度相對降低。氮和鋁是碳化硅中常見的雜質(zhì)，它們會影響碳化硅的電導率。
純的碳化硅是用Lely法制造的。 通過將碳化硅粉末在2500°C的氬氣氛下升華后再沉積形成鱗片狀的單晶，在較冷的基底上可形成尺寸大到2×2cm2的單晶。Lely法能生長出高質(zhì)量的碳化硅單晶。因為單晶的生長溫度高，所以得到的單晶大多數(shù)是6H-SiC相的。在石墨坩堝中進行感應加熱則是另一種改進后的Lely法，它可以制造的碳化硅單晶尺寸是傳統(tǒng)方法的81倍。立方體狀的碳化硅一般是借助成本較為昂貴的化學氣相沉積法來合成的。通過氣相和液相合成的方法可以制造同質(zhì)外延和異質(zhì)的碳化硅薄層。純的碳化硅也能利用某些聚合物比如聚甲基硅烷在低溫的惰性氣氛中熱分解來合成。相較于化學氣相沉積法，熱分解法的優(yōu)勢在于聚合物能在熱裂解形成陶瓷狀碳化硅之前塑造成各種不同的形狀。